核心总览

精度只是表象；三者本质差异来自传感结构、应力隔离、蠕变、温漂、过载能力、长期稳定性、SIL 适配、工况耐受，选型时低压、循环交变、长期在线项目最容易踩坑。

适用你对标：真空炉、盐化工、海洋、旋转设备、SIL 项目、国产化替换。

1）扩散硅（压阻，常规经济型）

原理：硅应变电阻直接做在硅膜片上，应力直接传递到惠斯通电桥，无应力隔离结构。 ✅ 优点：成本最低、体积小、供货快； ❌ 短板：

• 蠕变明显：压力长期保持、交变压力下零点缓慢漂移；

• 温漂大，温补算法补偿上限有限；

• 抗过载、抗静压能力偏弱；

• 重复性、迟滞一般，主流精度大多 0.25%～0.5%；很难稳定做到 0.1%；

• 压力循环冲击、高低温交替工况（真空炉反复抽充压）漂移会放大；

• SIL2 很少做，FMEDA 指标差，不推荐 SIS 安全回路。 👉 定位：辅助监测、冷却水压力、普通液压站、非关键报警点，预算优先。

2）单晶硅（单晶硅谐振 / 单晶硅压阻，现在国产高端主力，对标 EJA）

原理：硅传感元件和承压膜片之间应力隔离结构（微熔 / 玻璃隔离），应力只传递到谐振 / 敏感区，隔离基底应力。 ✅ 优点：

• 迟滞、重复性优秀，可稳定 0.1%，高端款 0.075%；

• 蠕变低，长期零点漂移小，适合长期无人巡检；

• 温漂控制优秀，宽温区间稳定（真空炉昼夜温变、海洋户外）；

• 抗静压、抗过载优于扩散硅；

• 成熟支持 SIL2，部分型号 SIL3；HART 稳定； ❌ 短板：价格高于扩散硅；硅本身不耐强碱、强腐蚀，腐蚀工况靠哈氏 / 钽隔离膜片兜底。 👉 定位：工艺 PID 闭环、气氛分压、真空检漏、旋转设备润滑监测、SIL 安全回路，你的主推款。

3）陶瓷电容（陶瓷膜片电容式，EJA / 老国产电容路线）

原理：陶瓷膜片作为电容极板，压力改变电容间隙；无源电容检测，不是硅压阻。 ✅ 优点：

• 化学惰性好，陶瓷本身耐很多介质；

• 过载极强，不易拉坏膜片；

• 抗介质腐蚀优势突出（搭配合适密封）； ❌ 短板：

• 温度特性偏弱，低温 / 大温区漂移比优质单晶硅明显；

• 低压段（＜10kPa）信噪比差，分压、检漏不好用；

• 受介质介电常数影响（介质变化会带来漂移，盐化工、带气泡工况是坑）；

• 量程比普遍不如单晶硅；高频压力动态响应一般； 👉 定位：强腐蚀工况、粗压力监测、高过载场景；不推荐百 Pa~ 几千 Pa 精密真空闭环、压升率检漏。

多维度对比简表

表格

选型判断口诀

只做监视、预算紧 → 扩散硅 低压精密、检漏分压、SIL、长期稳定、温度波动大 → 单晶硅首选强腐蚀、不怕低压不准、高过载 → 陶瓷电容

高频避坑（你项目经常遇到）

1. 不要看到 “电容式” 就等于高精度：电容优势不是精度，是耐腐和过载；低压真空反而是弱项；

2. 扩散硅就算标 0.1%，大多是单点标定指标，循环压力、温度循环之后重复性和蠕变 hold 不住，真空炉气氛回路慎用；

3. 陶瓷电容在盐化工、浆液不错；但盐化工如果同时要做精密低压分压，优先带隔离膜片的单晶硅。

规格书可用短句

扩散硅、单晶硅、陶瓷电容差异不限于精度；扩散硅蠕变与温漂偏大，适合辅助监测；单晶硅具备低蠕变、低迟滞、优异温漂特性，适配低压精密测量、检漏、SIL 安全回路；陶瓷电容耐腐、过载强，但低压信噪比弱、受介质介电常数影响，优先用于腐蚀粗监测工况。