精度更高:0.02%–0.075%FS(扩散硅约 0.2% FS)。
长期超稳:时漂 **<0.01%/ 年 **,温漂 **<0.001%/℃**,10 年免校准。
宽温适应:**-40℃~120℃** 稳定,适合高低温工况。
抗过载强:可承受200% 量程瞬时冲击,抗振动、抗疲劳。
线性度优:单晶一体成型,无粘结层,迟滞 < 0.01%。
高压反应釜、催化裂化装置压力闭环控制。
天然气管道泄漏检测、输油管线压力监测。
储罐液位 / 界位(差压)、高温熔体 / 粘稠介质测量。
锅炉汽包 / 主蒸汽压力(±0.05%FS,防超压)。
核电站主泵 / 安全壳压力监测(高可靠)。
水电站水轮机 / 压力钢管压力、液压系统控制。
发酵罐、蒸馏塔无菌压力监测(316L / 电解抛光)。
无菌灌装、CIP/SIP 清洗压力控制(卫生卡盘)。
火箭发动机燃烧室压力、燃料加注系统监测。
飞行器气动参数、机载液压系统压力(-55℃~150℃)。
真空腔室、超纯水 / 高纯气体压力闭环控制。
精密测试台、压力校准设备(计量级0.02%FS)。
高炉炉顶压力、轧机液压系统、盾构机 / 挖掘机液压控制。
精度等级:计量 / 关键工艺选0.02%–0.075%FS;一般控制选0.1%FS。
膜片材质:316L(通用)、哈氏合金 C(强腐蚀 / 氯离子)、钽(浓酸)。
温度范围:标准 **-40℃~120℃;深冷-196℃;高温≤180℃**(远传膜片)。
防爆 / 防护:Ex d IIC T6/Ex ia IIC T6;户外IP67、水下IP68。
单晶硅:精度0.02%–0.075%FS、时漂 **<0.01%/ 年 **、成本高;适合高精度 / 长期稳定 / 恶劣工况。
扩散硅:精度0.2%FS、时漂0.1%/ 年、成本低;适合一般工业 / 预算敏感。
