核心逻辑:流量计一次元件(节流装置)+ 单晶硅差压 / 多参量变送器套装,整套统一标定,整机输出流量信号,避免不同厂家仪表带来系统叠加误差。
一台多变量单晶硅变送器同时采集差压、静压、过程温度,内部完成温压补偿、流量积算,替代传统 “差压变送器 + 压力变送器 + 温度变送器三台仪表”,减少布线、减少安装点,系统一致性最优。成套 BOM 清单
节流装置:孔板 / 喷嘴 / 文丘里 / 平衡流量计(按管径、介质、压力等级定制,带计算书)
单晶硅多参量差压变送器(单晶硅芯体)
精度:差压 ±0.075% FS,静压 ±0.1% FS
温度补偿:‑40℃~120℃全温区逐台多点标定,芯片片上测温,二维耦合补偿算法
长期稳定性:≤0.1% FS / 年
输出:4‑20mA+HART7,支持流量、差压、静压多变量输出;可选 Modbus‑RTU
防爆:Ex d IIC T6;关键安全回路可选 SIL2 认证
膜片:316L / 哈氏合金 C,适配氢介质抗氢渗透选型
配套附件:三阀组、取压接头、密封垫片、安装支架
资料:节流计算书、整机出厂检定报告、温区测试原始记录、防爆 / SIL 证书、DD/DTM 文件
节流件 + 单晶硅差压变送器 + 单晶硅压力变送器 + 温度元件,DCS 侧完成温压补偿计算;备件通用性强,方便后期单点更换。成套 BOM 清单
节流装置(孔板 / 平衡流量计,提供完整流量计算书)
单晶硅差压变送器:0.075% FS,‑40~120℃宽温补偿,HART,防爆
单晶硅压力变送器(静压补偿用):0.075% FS,同系列单晶硅平台,硬件、协议统一
温度元件:热电阻 / 热电偶
全套附件:三阀组、取压阀、安装支架、密封件
交付资料:每台仪表独立检定报告,节流计算书,材质报告,防爆证书
拒绝纸面参数,把以下指标写入技术协议,规避 “标称高精度,现场高低温漂移” 问题
传感器:真正单晶硅 MEMS 芯体,片上芯体测温,非 PCB 板 NTC 测温
全温区范围:‑40℃~120℃,逐台完成‑40℃/0℃/25℃/80℃/120℃多温度点全量程压力标定,不允许仅 25℃单点标定
温度影响误差:零点 & 量程综合温漂≤0.025% FS/10℃
长期稳定性:≤0.1% FS / 年,样本或出厂报告可体现
防爆等级 Ex d IIC T6;安全回路要求提供 SIL2/SIL3 证书及 PFH 数据
膜片材质按介质:普通介质 316L;临氢、强腐蚀选用哈氏 C‑276;充油硅油适配‑40~120℃宽温
输出协议:4‑20mA+HART7,提供 DD 文件,兼容主流 DCS 系统
交付要求:一机一档,每台附带出厂多点检定报告,含高低温测试记录
系统误差更小:节流件、变送器成套匹配计算,整套统一交付,避免不同厂家仪表叠加误差。
简化采购管理:只对接一家供应商,BOM 统一,减少多厂商对接、对账、资料收集工作量。
调试更简单:成套出厂预组态,流量系数、补偿参数预先配置,现场只做零点校验,缩短调试周期。
售后责任清晰:出现测量异常,不需要区分是流量计问题还是变送器问题,供应商统一排查。
备件标准化:整套采用同平台单晶硅系列,变送器表头、电路板、配件可互换,降低备件库存成本。
到货核对:铭牌、量程、膜片材质、防爆标志与合同一致;核对每台 SN 与证书一一对应。
文件验收:节流装置计算书、材质证明、出厂检定报告、温区标定记录、防爆 / SIL 证书齐全。
FAT 出厂测试:关键回路建议做工厂见证测试,核对常温、高低温下输出性能。
SAT 现场验收:安装完成后做零点、量程校验,模拟工况验证流量输出;连续 72 小时运行无异常漂移。
质保:整机质保≥18 个月;提供现场技术指导,组态调试服务。
蒸汽管网、热力计量:优先 A 方案多参量套装,内部完成温压补偿,降低 DCS 组态压力。
加氢、临氢工艺:B 方案分体套装,哈氏 C‑276 膜片,SIL2 认证,重视抗氢渗透,预留冗余备件。
普通化工液体 / 气体:B 方案,性价比均衡,备件通用性强。
改造项目老装置升级:优先 A 多参量,减少新增仪表点位,减少布线施工。
流量计 + 变送器成套采购,从源头降低系统测量误差
单晶硅一体化套装:硬件同源,标定同源,数据同源
成套不是简单拼凑,是整套工况性能的统一保障
