坑 1：挂羊头卖狗肉，名义 “单晶硅”，实际是普通扩散硅 / 电容芯体

1. 技术协议明确写明：敏感元件为单晶硅基底 MEMS 芯体，不是扩散硅，要求提供芯体型号、原厂资料；

2. 核对指标：单晶硅典型长期稳定性≤0.1% FS / 年，宽温温漂指标；普通扩散硅温漂大、年漂移更大；

3. 不要只看 25℃常温精度，强制要求提供‑40～85℃全温区补偿数据；

4. 到货可做对比：微负压（蒸馏塔顶绝压）工况，扩散硅零点漂移会显著大于真单晶硅。

石化蒸馏塔顶、减压塔绝压测量，这个坑最容易爆发故障。

坑 2：只看标称精度，忽略量程比衰减、温漂、长期稳定性三大隐性指标

1. 技术协议写明：量程比下实际精度，明确本项目实际使用迁移后的精度，不是最大量程精度；石化常用 10:1 以内量程比，不盲目追求超大量程比；

2. 强制写入：零点温度漂移、量程温度漂移、长期稳定性≤0.1% FS / 年；

3. 蒸馏塔顶、反应器，优先把长期稳定性＞短期精度，工艺控制稳定性比纸面高精度更重要。

坑 3：防爆、SIL 安全认证造假 / 套证，高危装置埋下联锁隐患

1. 防爆：核对防爆合格证编号、型号、Ex 等级，证书型号必须和订货型号完全一致，石化优先 Ex ia IIC T6 / Ex d IIC T6；

2. SIL 需求（联锁回路）：索要完整 SIL 证书，确认本量程、本膜片配置在 SIL 认证覆盖范围内，不是笼统一张证书；同时要求 FMEDA 报告；

3. 拒绝只给证书截图，要求随货提供证书原件或官网可核验版本；

蒸馏塔顶压力联锁、加氢装置，这条是红线，一旦出事责任重大。

坑 4：膜片、充油材质偷换，介质腐蚀，慢性失效（石化最高发）

1. 介质一定要写清楚：含硫、铵盐、氢气、轻烃，不能笼统写 “油气”；

2. 技术协议明确膜片材质、毛细管充油型号、密封圈材质；

3. 蒸馏塔顶：普通油气 316L；含硫 / 铵盐腐蚀，必须哈氏 C‑276；真空远传型号，确认充油适配负压工况，不会气化；

4. 批量到货可抽样材质光谱复检，避免材质造假。

坑 5：只比价，忽略安装应力、抗振动、HART 诊断、备件与售后

1. 石化塔器振动工况，选型要带抗振动结构、应力释放设计；明确支持阻尼可调；

2. HART 必须完整支持：传感器温度、传感器状态、自诊断，用于塔顶堵塞预判；拒绝阉割版 HART；

3. 明确配套：三阀组、安装支架，避免现场二次加工；

4. 商务条款写明：质保年限、备件供货周期、故障响应时间；批量采购尽量统一型号，减少备品库存种类。

单晶硅变送器采购极简技术协议模板（可直接复制进询价）

敏感元件：真正单晶硅 MEMS 芯体，禁止扩散硅冒充；

精度：最大量程 0.075% FS；实际使用量程下精度≤0.15% FS；

长期稳定性：≤0.1% FS / 年；‑40~85℃全温域补偿；

防爆：Ex ia IIC T6，提供国内防爆合格证；联锁回路需 SIL2，提供对应量程 FMEDA；

膜片材质：根据介质确定；远传毛细管充油适配工况温度；

输出：4‑20mA+HART，完整自诊断功能；阻尼 0‑32s 可调；

随货资料：校准证书、防爆证书、SIL 证书、材质证明。